Nexperia Type N-Channel MOSFET, 0.41 A, 50 V Enhancement, 4-Pin LFPAK88 PSMNR90-50SLHAX
- RS Stock No.:
- 251-7923
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMNR90-50SLHAX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB426.82
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB456.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,982 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB213.41 | THB426.82 |
| 50 - 98 | THB205.94 | THB411.88 |
| 100 - 248 | THB198.74 | THB397.48 |
| 250 - 998 | THB191.79 | THB383.58 |
| 1000 + | THB185.08 | THB370.16 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 251-7923
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMNR90-50SLHAX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.41A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Package Type | LFPAK88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 1.7 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 8.1mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.41A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Package Type LFPAK88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 1.7 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 8.1mm | ||
Length 8.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Nexperia 410 Amp continuous current, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 °C LFPAK88 package. Part of the ASFETs for Battery Isolation and DC Motor control family and using Nexperia’s unique “SchottkyPlus” technology delivers high efficiency and low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current.
Copper-clip and solder die attach for low package inductance and resistance, and high ID(max) rating
Qualified to 175 °C
Avalanche rated, 100 % tested
Low QG, QGD and QOSS for high efficiency, especially at higher switching frequencies
Superfast switching with soft body-diode recovery for low-spiking and ringing, recommended for low EMI designs
Narrow VGS(th) rating for easy paralleling and improved current sharing
Very strong linear-mode / safe operating area characteristics for safe and reliable switching at high-current conditions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 4-Pin LFPAK88
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK88
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK88 PSMNR55-40SSHJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK88 BUK7S2R0-40HJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK88 BUK7S0R5-40HJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 4-Pin DFN
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK