Infineon BSR Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSR802NL6327HTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB90.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB96.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
มีในสต็อก
  • 1,050 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB18.01THB90.05
10 - 95THB16.198THB80.99
100 - 245THB14.566THB72.83
250 - 495THB13.116THB65.58
500 +THB11.846THB59.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
250-0540
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-40-497
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSR802NL6327HTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-223

Series

BSR

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes this Optimos 2 Small-Signal-Transistor. It is a P-channel, Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

Logic level (4.5V rated)

Avalanche rated and 100% lead-free

Maximum power dissipation is 360 mW

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง