Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET, 230 A, 75 V, 3-Pin TO-220 AUIRF3205
- RS Stock No.:
- 249-6868
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF3205
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB143.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB153.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB143.33 |
| 5 - 9 | THB128.84 |
| 10 - 14 | THB115.91 |
| 15 - 19 | THB104.54 |
| 20 + | THB93.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6868
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF3205
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 230A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | AUIRFS | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 230A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series AUIRFS | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.
Advance planner technology
LowOn-Resistance
Dynamic dV/dT Rating
175 C operating temperature
Fast switching
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-220 AUIRF3205
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404Z
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263 AUIRFR2407TRL
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263 AUIRFS3107TRL
- Infineon AUIRFS Type P-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR5305TR
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-220
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-220 AUIRFB8409
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-252