Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 230 A, 75 V, 3-Pin TO-220 AUIRF3205
- RS Stock No.:
- 249-6868
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF3205
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB126.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB135.37
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 958 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB126.51 |
| 5 - 9 | THB113.72 |
| 10 - 14 | THB102.31 |
| 15 - 19 | THB92.27 |
| 20 + | THB82.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6868
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF3205
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 230A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | AUIRFS | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 230A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series AUIRFS | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.
Advance planner technology
LowOn-Resistance
Dynamic dV/dT Rating
175 C operating temperature
Fast switching
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-220
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404Z
- Infineon AUIRFS Type P-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-252
- Infineon AUIRFS Type P-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR5305TR
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263 AUIRFS3107TRL
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263 AUIRFR2407TRL
