STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 248-9689P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP65N045M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB3,200.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,424.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 455 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 19 | THB320.05 |
| 20 - 29 | THB313.65 |
| 30 - 39 | THB307.38 |
| 40 + | THB301.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-9689P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP65N045M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | STP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.6mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Length | 28.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series STP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.6mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Standards/Approvals UL | ||
Length 28.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics product is a N channel power MOSFET based on the most innovative super junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS on per area coupled with a fast recovery diode. The silicon based DM9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super junction power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Worldwide best FOM RDS on Qg among silicon based devices
Higher VDSS rating
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
Easy to drive
100 percent avalanche tested