STMicroelectronics STP N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 248-9687P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP60N043DM9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB3,665.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,921.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 19 | THB366.53 |
| 20 - 29 | THB359.20 |
| 30 - 39 | THB352.02 |
| 40 + | THB344.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-9687P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP60N043DM9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | STP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.6mm | |
| Width | 10.4mm | |
| Length | 28.9mm | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series STP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.6mm | ||
Width 10.4mm | ||
Length 28.9mm | ||
Standards/Approvals UL | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics product is a N channel power MOSFET based on the most innovative super junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS on per area coupled with a fast recovery diode. The silicon based DM9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The fast recovery diode featuring very low recovery charge, time and RDS on makes this fast switching super junction power MOSFET tailored for the most demanding high efficiency bridge topologies and ZVS phase shift converters.
Fast recovery body diode
Worldwide best RDS on per area among silicon based fast recovery devices
Low gate charge, input capacitance and resistance
100 percent avalanche tested
Extremely dv/dt ruggedness
