DiodesZetex 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 4.6 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMC2710UDWQ-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB117.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB125.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,825 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB4.684THB117.10
50 - 75THB4.588THB114.70
100 - 225THB2.642THB66.05
250 - 975THB2.587THB64.68
1000 +THB1.353THB33.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
246-7498
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMC2710UDWQ-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.38W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±6 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The DiodesZetex makes a complementary pair enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SOT363 packaging and 0.6mm profile makes it ideal for low profile applications . It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 20 V Maximum gate to source voltage is ±6 V It offers a ultra-small package size Its thermally efficient package enables higher density end products

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง