onsemi NTM Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V N, 5-Pin DFN NTMFS5C645NT1G
- RS Stock No.:
- 244-9185
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS5C645NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB175.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB187.96
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,480 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB87.83 | THB175.66 |
| 10 - 98 | THB86.515 | THB173.03 |
| 100 - 248 | THB85.215 | THB170.43 |
| 250 - 498 | THB83.94 | THB167.88 |
| 500 + | THB82.68 | THB165.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-9185
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS5C645NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NTM | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20.4nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type DFN | ||
Series NTM | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20.4nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor MOSFET Drain−to−Source Voltage is 60 V and Gate−to−Source Voltage is ±20 V.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN-5
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN NTMFS6H824NT1G
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V N, 5-Pin DFN-5 NTMFS3D2N10MDT1G
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 5-Pin DFN-5
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS002N10MCLT1G
- onsemi NTM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS4D7N04XMT1G
- onsemi NTM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN-8 NTMFSC0D8N04XMTWG
