Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 52 A, 75 V, 3-Pin TO-247 AIMW120R045M1XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB775.61

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB829.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 610 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB775.61
10 - 39THB771.39
40 - 79THB767.18
80 - 119THB762.96
120 +THB758.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
244-2910
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AIMW120R045M1XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

CoolSiC

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

5.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.3mm

Standards/Approvals

No

Length

16.3mm

Width

21.5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon AIMW120R045M1XKSA1 is specifically designed to meet the high requirements demanded by the automotive industry with regards to reliability, quality and performance. The increase of switching frequency for a converter using CoolSiC™ MOSFETs can result in dramatically reduced volume and weight of the magnetic components by up to 25%, which yields to significant cost increase of the application itself. The gain in performance fulfills new regulation standards in terms of higher efficiency requirements for electric vehicles.

Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  Very low switching losses

Threshold-free on state characteristic  IGBT-compatible driving voltage (15V for turn-on)

0V turn-off gate voltage

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th)=4.5V

Fully controllable dv/dt

Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification Temperature independent turn-off switching losses

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง