DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V, 8-Pin PowerDI1012-8 DMTH4001STLW-13
- RS Stock No.:
- 244-1938
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH4001STLW-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB259.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB277.654
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,404 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB129.745 | THB259.49 |
| 50 - 98 | THB110.735 | THB221.47 |
| 100 - 248 | THB108.495 | THB216.99 |
| 250 - 498 | THB96.19 | THB192.38 |
| 500 + | THB94.18 | THB188.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-1938
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH4001STLW-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | PowerDI1012-8 | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type PowerDI1012-8 | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex MOSFET is designed to minimize the on state resistance yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in power management and load switch.
100% Unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application
High conversion efficiency
Wettable flank for improved optical inspection
Totally lead free and fully RoHS compliant
Halogen and antimony free green device
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V, 8-Pin PowerDI1012-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI1012-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI1012-8 DMTH4001STLWQ-13
- DiodesZetex DMTH10H2M5STLW Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI1012 DMTH10H2M5STLW-13
- DiodesZetex DMTH10H2M5STLW Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI1012
- DiodesZetex DMTH10H2M5STLWQ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI1012
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin SOIC
