Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB110N20N3LFATMA1
- RS Stock No.:
- 242-5823
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB110N20N3LFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB229.71
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB245.79
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,990 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB229.71 |
| 10 - 99 | THB218.26 |
| 100 - 249 | THB207.37 |
| 250 - 499 | THB197.02 |
| 500 + | THB187.22 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 242-5823
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB110N20N3LFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 273A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 273A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Linear FET MOSFET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.
Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)
High max pulse current
High continuous pulse current
Maximum drain current is 88A
Operating Temperature range is from -55 °C to 150 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB048N15N5LFATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB048N15N5ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB60R045P7ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB60R070CFD7ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263 IPB017N10N5ATMA1
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263