Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ018NE2LSIATMA1
- RS Stock No.:
- 241-9699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB82.23
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB87.986
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB41.115 | THB82.23 |
| 10 - 98 | THB39.98 | THB79.96 |
| 100 - 248 | THB38.845 | THB77.69 |
| 250 - 498 | THB37.71 | THB75.42 |
| 500 + | THB36.575 | THB73.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-9699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 212A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | BSZ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 212A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PQFN | ||
Series BSZ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which is Optimized for high performance Buck converter. It is 100% avalanche tested.
Monolithic integrated Schottky like diode
Halogen-free according to IEC61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ021N04LS6ATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ024N04LS6ATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ018NE2LSATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ039N06NSATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ011NE2LS5IATMA1
