Infineon IPG20N06S4L-14A 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPG20N06S4L14AATMA1
- RS Stock No.:
- 241-9688
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB208.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB223.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 14,995 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB41.686 | THB208.43 |
| 10 - 95 | THB40.106 | THB200.53 |
| 100 - 245 | THB38.526 | THB192.63 |
| 250 - 495 | THB36.946 | THB184.73 |
| 500 + | THB35.366 | THB176.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-9688
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Series | IPG20N06S4L-14A | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Series IPG20N06S4L-14A | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™-T2 N-channel automotive MOSFET has 60 V drain source voltage (VDS) & 20 A drain current (ID). It comes in dual SS08 (PG-TDSON-8) package. It is feasible for automatic optical inspection (AOI).
Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
Feasible for automatic optical inspection (AOI)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPG20N06S4L-14A 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L025ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge IAUC60N04S6N050H Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge IAUC45N04S6L063H Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC60N04S6N044ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L014ATMA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUZ30N10S5L240ATMA1