Microchip MSC750SMA170B Type N-Channel MOSFET, 5 A, 1700 V TO-247
- RS Stock No.:
- 241-9278P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MSC750SMA170B
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB1,816.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,943.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 98 | THB181.60 |
| 100 + | THB177.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-9278P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MSC750SMA170B
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1700V | |
| Series | MSC750SMA170B | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 2V | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V | ||
Series MSC750SMA170B | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 2V | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Low capacitances and low gate charge
Fast switching speed due to low internal gate resistance
Stable operation at high junction temperature TJ(max) equal to 175 °C
Fast and reliable body diode
Superior avalanche ruggedness
RoHS compliant