MPN

Microchip MSC080SMA120B Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V TO-247

RS Stock No.:: 241-9270
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: MSC080SMA120B
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip MSC080SMA120B Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB12,503.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,378.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 90	THB416.774	THB12,503.22
120 +	THB403.021	THB12,090.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 241-9270
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: MSC080SMA120B
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	TO-247
	Series	MSC080SMA120B
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	2 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	64nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type TO-247
	Series MSC080SMA120B
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 2 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - MSC080SMA120B

The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.

Low capacitances and low gate charge

Fast switching speed due to low internal gate resistance

Stable operation at high junction temperature TJ(max) equal to 175 °C

Fast and reliable body diode

Superior avalanche ruggedness

RoHS compliant

Microchip MSC080SMA120B Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V TO-247

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง