Nexperia Type N-Channel MOSFET, 10.3 A, 30 V, 4-Pin LFPAK56E PSMN1R5-50YLHX
- RS Stock No.:
- 240-1973
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R5-50YLHX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB268.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB286.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,480 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB134.00 | THB268.00 |
| 50 - 98 | THB131.98 | THB263.96 |
| 100 - 248 | THB130.00 | THB260.00 |
| 250 - 498 | THB128.05 | THB256.10 |
| 500 + | THB126.125 | THB252.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-1973
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R5-50YLHX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | LFPAK56E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 12.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type LFPAK56E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 12.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Nexperia MOSFET is in LFPAK56E package with 200 Amp continuous current, logic level gate drive and N-channel enhancement mode. The ASFET is particularly suited to 36 V battery powered applications requiring strong avalanche capability, linear mode per
LFPAK56E low-stress exposed lead-frame for ultimate reliability, optimum soldering and easy solder-joint inspection
Copper-clip and solder die attach for low package inductance and resistance, and high ID (max) rating
Qualified to 175 °C
Avalanche rated, 100% tested
Low QG, QGD and QOSS for high efficiency, especially at higher switching frequencies
Superfast switching with soft body-diode recovery for low-spiking and ringing, recommended for low EMI designs
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK56E
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK56E PSMN3R5-80YSFX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK56E PSMN4R8-100YSEX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK56E PSMN2R0-55YLHX
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK88
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK88 PSMNR55-40SSHJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK88 BUK7S2R0-40HJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin LFPAK88 BUK7S0R5-40HJ
