Microchip TN5325 N-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN5325K1-G

RS Stock No.:: 239-5618
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN5325K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip TN5325 N-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN5325K1-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB519.125

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB555.475

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,975 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 25	THB20.765	THB519.13
50 - 75	THB20.357	THB508.93
100 - 225	THB19.07	THB476.75
250 - 975	THB18.684	THB467.10
1000 +	THB18.32	THB458.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-5618
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN5325K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-92
	Series	TN5325
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-92
	Series TN5325
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - TN5325K1-G

The Microchip TN5325 series of low-threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilize a vertical DMOS structure and a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Low threshold of maximum 2V

High input impedance and high gain

Rise Time of 15 ns

Turn-off Delay Time of 25 ns

Fall Time of 25 ns

Microchip TN5325 N-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN5325K1-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง