Microchip TN5325 Type N-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN5325K1-G
- RS Stock No.:
- 239-5618
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN5325K1-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB519.125
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB555.475
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB20.765 | THB519.13 |
| 50 - 75 | THB20.357 | THB508.93 |
| 100 - 225 | THB19.07 | THB476.75 |
| 250 - 975 | THB18.684 | THB467.10 |
| 1000 + | THB18.32 | THB458.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5618
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN5325K1-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | TN5325 | |
| Package Type | TO-92 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series TN5325 | ||
Package Type TO-92 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip TN5325 series of low-threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilize a vertical DMOS structure and a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
Low threshold of maximum 2V
High input impedance and high gain
Rise Time of 15 ns
Turn-off Delay Time of 25 ns
Fall Time of 25 ns
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip TN5325 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip VP2206 Type P-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip VP2206 Type P-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP2206N3-G
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN010-30QLJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN6R2-25QLJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXN7R7-25QLJ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33