STMicroelectronics STK Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin STK130N4LF7AG
- RS Stock No.:
- 239-5538
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STK130N4LF7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB494.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB529.41
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 100 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB49.478 | THB494.78 |
| 20 - 90 | THB48.489 | THB484.89 |
| 100 - 240 | THB47.52 | THB475.20 |
| 250 - 490 | THB46.571 | THB465.71 |
| 500 + | THB45.639 | THB456.39 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5538
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STK130N4LF7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | STK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 40 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 105W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series STK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 40 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 105W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals UL | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Automotive-grade N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
AEC-Q101 qualified
Among the lowest RDS(on) on the market
Excellent FoM (figure of merit)
Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
High avalanche ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STK Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin
- STMicroelectronics STripFETTM F7 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin ECOPACK STK184N4F7AG
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Vishay SQJQ936EL 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SQJQ936EL-T1_GE3
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement127
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin TO-220
- Vishay SQJQ936E 4 Dual N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ936E-T1_GE3
