Microchip VP0106 Type P-Channel MOSFET, 140 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP0106N3-G

RS Stock No.:: 236-8962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VP0106N3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip VP0106 Type P-Channel MOSFET, 140 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP0106N3-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB374.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB400.57

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 70 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 680 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB37.436	THB374.36
50 - 90	THB31.317	THB313.17
100 - 240	THB28.386	THB283.86
250 - 490	THB27.821	THB278.21
500 +	THB27.255	THB272.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 236-8962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VP0106N3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	140A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TO-92
	Series	VP0106
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 140A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TO-92
	Series VP0106
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - VP0106N3-G

The Microchip enhancement-mode normally-off transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

Microchip VP0106 Type P-Channel MOSFET, 140 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VP0106N3-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง