Toshiba Type N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 236-3576
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM3K339R,LF(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB8,181.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,754.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 15,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB2.727 | THB8,181.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 236-3576
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM3K339R,LF(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 220mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Forward Voltage Vf | -0.85V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.8mm | |
| Length | 2.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 220mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Forward Voltage Vf -0.85V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.8mm | ||
Length 2.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.
Storage temperature range −55 to 150 °C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 VLF(T
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin US6
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 30 V EnhancementLF(T
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 VLF(T
