STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2

RS Stock No.:: 234-8896P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STH200N10WF7-2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*

THB1,961.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,099.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 880 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
10 - 99	THB196.19
100 - 249	THB192.48
250 - 499	THB188.76
500 +	THB185.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	STH200
	Package Type	H2PAK-2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	93nC
	Maximum Power Dissipation Pd	340W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series STH200
	Package Type H2PAK-2
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 93nC
	Maximum Power Dissipation Pd 340W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No