Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN 2SK1835-E
- RS Stock No.:
- 234-7062
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SK1835-E
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB816.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB873.14
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB816.02 |
| 5 - 9 | THB799.49 |
| 10 - 29 | THB737.55 |
| 30 + | THB703.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 234-7062
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SK1835-E
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1500V | |
| Package Type | TO-3PN | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 20.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1500V | ||
Package Type TO-3PN | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 20.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.9mm | ||
Height 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Renesas Electronics silicon N-channel MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 1500 V. It is also suitable for switching regulator.
Low on-resistance
High-speed switching
High-robustness
Low drive current
No secondary breakdown
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STFW4 Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF STFW4N150
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP4N150
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW4N150
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STFW4 Type N-Channel MOSFET 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN