Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB6,400.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,849.03

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB213.365THB6,400.95
60 - 60THB202.696THB6,080.88
90 +THB192.56THB5,776.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
232-0392
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMW65R057M1HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolSiC

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

74mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon has SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3-pin package. The CoolSiC MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. The MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

Low capacitances

Optimized switching behaviour at higher currents

Superior gate oxide reliability

Excellent thermal behaviour

Increased avalanche capability

Works with standard drivers

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง