onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V N, 3-Pin TO-252 NTD360N65S3H

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB452.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB483.79

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 14,865 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB90.428THB452.14
10 - 95THB87.716THB438.58
100 - 245THB85.002THB425.01
250 - 495THB83.196THB415.98
500 +THB81.386THB406.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
229-6453
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTD360N65S3H
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Series

SUPERFET III

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.5nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

2.39 mm

Automotive Standard

No

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK


SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III FAST MOSFET series helps minimize various power systems and improve system efficiency.

Features


• 700 V @ TJ = 150°C

• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 17.5 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 180 pF)

• Fast switching performance with robust body diode

• 100% Avalanche Tested

• RoHS Compliant

• Typ. RDS(on) = 296 m

• Internal Gate Resistance: 0.9

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง