Infineon Dual IPG 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPG20N04S4L11AATMA1
- RS Stock No.:
- 229-1845
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB491.955
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB526.395
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 4,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB32.797 | THB491.96 |
| 30 - 75 | THB31.156 | THB467.34 |
| 90 - 225 | THB29.598 | THB443.97 |
| 240 - 465 | THB28.118 | THB421.77 |
| 480 + | THB26.713 | THB400.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1845
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IPG | |
| Package Type | SuperSO | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 41W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Length | 5.15mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Width | 5.9 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power Transistor | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IPG | ||
Package Type SuperSO | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 41W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Length 5.15mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Width 5.9 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual IPG 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual N IPG 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual N IPG 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPG20N04S412AATMA1
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual IPG20 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual CoolMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual IPG20 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S408AATMA1