Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 222-4886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R040CFD7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB155,925.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB166,840.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB155.925 | THB155,925.00 |
| 2000 - 2000 | THB149.928 | THB149,928.00 |
| 3000 + | THB148.03 | THB148,030.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R040CFD7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPA60R | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPA60R | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors
Best-in-class hard commutation ruggedness
Highest reliability for resonant topologies
Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
Enabling increased power density solutions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPB60R040CFD7ATMA1
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPAW60R180P7SXKSA1
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R099P7XKSA1
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R160P7XKSA1