Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R160P7XKSA1
- RS Stock No.:
- 222-4878
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA60R160P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB539.76
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB577.545
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 270 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB107.952 | THB539.76 |
| 10 - 95 | THB105.256 | THB526.28 |
| 100 - 245 | THB102.628 | THB513.14 |
| 250 - 495 | THB100.062 | THB500.31 |
| 500 + | THB97.56 | THB487.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4878
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA60R160P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPA60R | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPA60R | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)
Integrated gate resistor RG
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Both standard grade and industrial grade parts are available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R099P7XKSA1
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPAW60R180P7SXKSA1
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPB60R040CFD7ATMA1
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R600P7SXKSA1