Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1
- RS Stock No.:
- 222-4707
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB424.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB454.248
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB212.265 | THB424.53 |
| 10 - 98 | THB206.96 | THB413.92 |
| 100 - 248 | THB201.785 | THB403.57 |
| 250 - 498 | THB196.74 | THB393.48 |
| 500 + | THB191.815 | THB383.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4707
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 277.8W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.36mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.57mm | |
| Width | 15.95 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 277.8W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.36mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.57mm | ||
Width 15.95 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R110CFDAATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R190C7ATMA2
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220