Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 222-4611
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AUIRFP4568
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB10,437.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,168.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,075 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 50	THB417.516	THB10,437.90
75 - 100	THB401.455	THB10,036.38
125 +	THB396.369	THB9,909.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4611
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AUIRFP4568
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	171A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	TO-247
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	517W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	151nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	20.7 mm
	Length	15.87mm
	Height	5.31mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 171A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type TO-247
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 517W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 20.7 mm
	Length 15.87mm
	Height 5.31mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AUIRFP4568

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.

Advanced Planar Technology

Dual N Channel MOSFET Low On-Resistance

Logic Level Gate Drive

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง