Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 222-4611
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFP4568
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*
THB10,437.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB11,168.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,075 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 25 - 50 | THB417.516 | THB10,437.90 |
| 75 - 100 | THB401.455 | THB10,036.38 |
| 125 + | THB396.369 | THB9,909.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4611
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFP4568
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 171A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 517W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 151nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 5.31mm | |
| Width | 20.7 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 171A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 517W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.87mm | ||
Height 5.31mm | ||
Width 20.7 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Advanced Planar Technology
Dual N Channel MOSFET Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AUIRFP4568
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-247 AUIRFP4568-E
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC IRFP4568PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB8314PBF