onsemi NVTFS Type N-Channel MOSFET, 28.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS4C02NTAG
- RS Stock No.:
- 221-6760
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVTFS4C02NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB581.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB622.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,430 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB58.163 | THB581.63 |
| 20 - 90 | THB56.709 | THB567.09 |
| 100 - 240 | THB55.292 | THB552.92 |
| 250 - 490 | THB53.909 | THB539.09 |
| 500 + | THB52.561 | THB525.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 221-6760
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVTFS4C02NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | NVTFS | |
| Package Type | WDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 0.8 mm | |
| Height | 3.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series NVTFS | ||
Package Type WDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 107W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 0.8 mm | ||
Height 3.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Automotive power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. The wettable flank option available for enhanced optical inspection. It used AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low capacitance to minimize driver losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVTFS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H888N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NTTFS6H850N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H854N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H850N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS5C658NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN