Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB2,198.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,352.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB73.274THB2,198.22
60 - 90THB71.681THB2,150.43
120 +THB70.088THB2,102.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
218-3086
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPW60R180P7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

21.1mm

Width

5.21 mm

Length

16.13mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ series N-channel power MOSFET. The 600V CoolMOS™ P7 super junction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process.

Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding commutation ruggedness

Significant reduction of switching and conduction losses

Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง