Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R280CFD7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB485.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB519.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 340 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB48.53THB485.30
20 - 20THB47.317THB473.17
30 +THB46.589THB465.89

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
218-3069
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPP60R280CFD7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS CFD7

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.57 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.36mm

Height

9.45mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

Ultra-fast body diode

Low gate charge

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง