Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin TO-252 SPD04N80C3ATMA1
- RS Stock No.:
- 217-2644
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD04N80C3ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB424.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB454.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB42.456 | THB424.56 |
| 630 - 1240 | THB41.395 | THB413.95 |
| 1250 + | THB40.757 | THB407.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2644
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD04N80C3ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | CoolMOS C3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 63W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 2.41 mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series CoolMOS C3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 63W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 2.41 mm | ||
Height 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. .
Low specific on-state resistance (RDS(on)*A)
Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @400V
Low gate charge (Qg)
Field proven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SPP04N80C3XKSA1
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
