Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP045N10N3GXKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB698.54

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB747.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 390 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB69.854THB698.54
20 - 20THB68.108THB681.08
30 +THB67.061THB670.61

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
217-2555
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-31-966
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPP045N10N3GXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IPP

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

88nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.57 mm

Height

29.95mm

Length

10.36mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

Excellent switching performance World's lowest R DS(on)

Very low Q g and Q gd

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

RoHS compliant-halogen free

MSL1 rated 2

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง