Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R600P7ATMA1

RS Stock No.:: 217-2528
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD60R600P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R600P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB522.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB559.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB26.125	THB522.50
640 - 1240	THB25.471	THB509.42
1260 +	THB25.08	THB501.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2528
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD60R600P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	41W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPD
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 41W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.41mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD60R600P7ATMA1

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss DS(on)xQ G

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor R G

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R600P7ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง