Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 7.6 A, 500 V N, 3-Pin TO-220 IPAN50R500CEXKSA1
- RS Stock No.:
- 217-2495
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPAN50R500CEXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB553.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB592.64
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 + | THB27.693 | THB553.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2495
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPAN50R500CEXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 28W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 29.85mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.8 mm | |
| Length | 16.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 28W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 29.85mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.8 mm | ||
Length 16.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
High body diode ruggedness
Reduced reverse recovery charge (Q rr )
Reduced gate charge (Q g )
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon 500V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R500CEAUMA1
- Infineon 500V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220 IPA65R1K5CEXKSA1