onsemi NTMTS Type N-Channel MOSFET, 236 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDFN
- RS Stock No.:
- 214-8904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMTSC002N10MCTXG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB352,317.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB376,980.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 3000 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB117.439 | THB352,317.00 |
| 6000 - 9000 | THB114.886 | THB344,658.00 |
| 12000 + | THB112.333 | THB336,999.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMTSC002N10MCTXG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 236A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | NTMTS | |
| Package Type | TDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 89nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.9W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 8.5 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 8.4mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 236A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series NTMTS | ||
Package Type TDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.9W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 8.5 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 8.4mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor NTMTS series is n-channel MOSFET which has drain to source voltage of 100 V. It is typically used synchronous rectification and DC-DC conversion.
Pb−Free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMTS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDFN NTMTSC002N10MCTXG
- onsemi NTMTS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDFN
- onsemi NTMTS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDFN NTMTSC1D6N10MCTXG
- onsemi Type N-Channel MOSFET 150 V N, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN NTMT190N65S3H
