Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 214-4478
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD02N80C3ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB44,747.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,880.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB17.899 | THB44,747.50 |
| 5000 - 7500 | THB17.362 | THB43,405.00 |
| 10000 + | THB16.841 | THB42,102.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4478
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD02N80C3ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 42W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 42W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1 | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.
It has ultra low gate charge
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD02N80C3ATMA1
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252