Infineon DirectFET Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DirectFET IRF6645TRPBF
- RS Stock No.:
- 214-4455
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6645TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB238.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB255.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 1190 | THB23.834 | THB238.34 |
| 1200 - 2390 | THB23.238 | THB232.38 |
| 2400 + | THB22.881 | THB228.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4455
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6645TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | DirectFET | |
| Series | DirectFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 42W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type DirectFET | ||
Series DirectFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 42W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon DirectFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin DirectFET
- Infineon DirectFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin MX
- Infineon DirectFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin MX IRF7946TRPBF
- Infineon DirectFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon DirectFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET IRF7739L1TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRL7736M2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRF7648M2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 15-Pin DirectFET IRF7779L2TRPBF
