Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263 IRF3709ZSTRRPBF
- RS Stock No.:
- 214-4451
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB587.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB628.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 290 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | THB58.75 | THB587.50 |
| 200 - 390 | THB57.281 | THB572.81 |
| 400 + | THB56.40 | THB564.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4451
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 87A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.8mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 87A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon HEXFET MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness
It has product qualification according to JEDEC standard
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-220 IRFB7740PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ24NPBF
- Vishay SIS N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT SiSA12BDN-T1-GE3
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin TO-263 IRL3803STRLPBF
