Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 3-Pin TO-263 IRF3709ZSTRRPBF
- RS Stock No.:
- 214-4451
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB587.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB628.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 300 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | THB58.75 | THB587.50 |
| 200 - 390 | THB57.281 | THB572.81 |
| 400 + | THB56.40 | THB564.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4451
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 87A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.8mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 87A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon HEXFET MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness
It has product qualification according to JEDEC standard
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ24NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220 IRFB7740PBF
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT SiSA12BDN-T1-GE3
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 150 V N, 8-Pin SuperSO BSC093N15NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 150 V N, 8-Pin SuperSO
