STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 213-3945P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA90N65G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 213-3945P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA90N65G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 119A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 656W | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Width | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 119A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCTWA90N65G2V-4 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 656W | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Width 21.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.9mm | ||
Height 5.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency