MPN

STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT

RS Stock No.:: 213-3941
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTL35N65G2V
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB1,816,833.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,944,012.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB605.611	THB1,816,833.00
6000 - 9000	THB592.446	THB1,777,338.00
12000 +	THB579.28	THB1,737,840.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 213-3941
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTL35N65G2V
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SCTL35N65G2V
	Package Type	PowerFLAT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	67mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	73nC
	Forward Voltage Vf	3.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Maximum Power Dissipation Pd	417W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	8.1 mm
	Height	0.95mm
	Length	8.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SCTL35N65G2V
	Package Type PowerFLAT
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 67mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC
	Forward Voltage Vf 3.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Maximum Power Dissipation Pd 417W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 8.1 mm
	Height 0.95mm
	Length 8.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTL35N65G2V

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง