STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Channel MOSFET, 45 A, 1.2 kV, 3-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 212-2094P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA40N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 212-2094P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA40N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 277W | |
| Forward Voltage Vf | 3.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Width | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCTWA40N120G2V-4 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 277W | ||
Forward Voltage Vf 3.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Width 21.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.1mm | ||
Length 15.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
SiC MOSFET
The STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET with a trench field-stop (TFS) IGBT of the same voltage rating and equivalent on-state resistance. The STPOWER SiC MOSFET exhibits significantly reduced switching losses, even at high temperatures. This enables designer to operate at very high switching frequencies, reducing the size of passive components for smaller form factors.
Very low switching losses
Low power losses at high temperatures
Higher operating temperature (up to 200 ˚C)
Body diode with no recovery losses
Easy to drive