STMicroelectronics SCT1000N170 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 1700 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 212-2092P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT1000N170
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB4,188.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,482.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB523.61 |
| 15 + | THB513.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 212-2092P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT1000N170
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1700V | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCT1000N170 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.66Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Height | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 20.15 mm | |
| Length | 15.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCT1000N170 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.66Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Height 5.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 20.15 mm | ||
Length 15.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
SiC MOSFET
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability.
High speed switching performance
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitances