DiodesZetex DMT616 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 DMT616MLSS-13
- RS Stock No.:
- 206-0157
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT616MLSS-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB335.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB359.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,650 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 600 | THB13.43 | THB335.75 |
| 625 - 1225 | THB13.094 | THB327.35 |
| 1250 + | THB12.893 | THB322.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-0157
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT616MLSS-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | DMT616 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.39W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.4mm | |
| Length | 5.9mm | |
| Width | 4.85 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series DMT616 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.39W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.4mm | ||
Length 5.9mm | ||
Width 4.85 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The DiodesZetex 60V,8 pin N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20V with 1.39 W thermal power dissipation.
Fast switching speed
Low input capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMT616 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS5670
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC5TB1
- DiodesZetex DMG Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Type P 10 A 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMG Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMG4466SSS-13
- DiodesZetex Type P 10 A 8-Pin PowerDI5060-8 DMC1018UPDWQ-13
