STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK
- RS Stock No.:
- 202-5486P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTW100N65G2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB11,733.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,554.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB1,466.63 |
| 15 + | THB1,444.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5486P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTW100N65G2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | H2PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.105Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 420W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 162nC | |
| Forward Voltage Vf | 2.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Length | 15.75mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Height | 34.95mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT | ||
Package Type H2PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 420W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 162nC | ||
Forward Voltage Vf 2.8V | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Length 15.75mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Height 34.95mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance