onsemi NVMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- RS Stock No.:
- 195-2509P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMJS1D5N04CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 760 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB31,931.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,166.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,960 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 760 - 1480 | THB42.015 |
| 1500 + | THB41.368 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2509P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMJS1D5N04CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NVMJS1D5N04CL | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NVMJS1D5N04CL | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead, dual cool package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK8 Package, Industry Standard
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free