onsemi NTMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- RS Stock No.:
- 195-2504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMJS1D5N04CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB146,529.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB156,786.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB48.843 | THB146,529.00 |
| 6000 - 9000 | THB47.781 | THB143,343.00 |
| 12000 + | THB46.72 | THB140,160.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMJS1D5N04CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | NTMJS1D5N04CL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.9 mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series NTMJS1D5N04CL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.9 mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK8 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NTMJS1D5N04CLTWG
- onsemi NVMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NVMJS1D5N04CLTWG
- onsemi NVMJS2D5N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NTMJS1D4N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMJS1D3N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS1D2N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NTMJS1D6N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK