STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60DM2

RS Stock No.:: 188-8550P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD11N60DM2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60DM2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 625 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB48,285.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB51,665.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,175 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
625 - 1245	THB77.256
1250 +	THB76.068

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	420mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.2 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.17mm
	Length	6.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 420mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.2 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.17mm
	Length 6.6mm
	Automotive Standard No