onsemi Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 6-Pin TSOT-23 FDC3601N

RS Stock No.:: 186-8997
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDC3601N
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 6-Pin TSOT-23 FDC3601N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB458.625

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB490.725

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,450 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB18.345	THB458.63
750 - 1475	THB17.886	THB447.15
1500 +	THB17.611	THB440.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 186-8997
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDC3601N
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TSOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	550mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	0.96W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.7nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Length	3.1mm
	Height	1mm
	Width	3 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TSOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 550mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 0.96W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.7nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Length 3.1mm
	Height 1mm
	Width 3 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet FDC3601N

These N-Channel 100V specified MOSFETs are produced using an advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.

1.0 A, 100 V

RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V

RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V

Low gate charge (3.7nC typical)

Fast switching speed

High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

SuperSOT™-6 package: small footprint 72%(smaller than standard SO-8), low profile (1mm thick)

Applications

This product is general usage and suitable for many different applications.

onsemi Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 6-Pin TSOT-23 FDC3601N

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง