onsemi NTTFS6H850N N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NTTFS6H850NTAG
- RS Stock No.:
- 178-4439
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS6H850NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
ยอดรวมย่อย (10 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 10)*
THB384.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB411.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 370 | THB38.44 | THB384.40 |
| 380 - 740 | THB37.481 | THB374.81 |
| 750 + | THB36.904 | THB369.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
ตัวเลือก
สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ
Each (On a Reel of 1500)
THB27,064.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28,959.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
- RS Stock No.:
- 178-4439
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS6H850NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | NTTFS6H850N | |
| Package Type | WDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 3.15mm | |
| Height | 0.75mm | |
| Length | 3.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series NTTFS6H850N | ||
Package Type WDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 107W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 3.15mm | ||
Height 0.75mm | ||
Length 3.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG
- onsemi UltraFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H854N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H888N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN