onsemi NTTFS6H850N Type N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NTTFS6H850NTAG
- RS Stock No.:
- 178-4439
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS6H850NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB175.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB188.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 370 | THB17.594 | THB175.94 |
| 380 - 740 | THB17.155 | THB171.55 |
| 750 + | THB16.891 | THB168.91 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4439
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS6H850NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | WDFN | |
| Series | NTTFS6H850N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type WDFN | ||
Series NTTFS6H850N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 107W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Commercial Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Features
Low On-Resistance
Low Gate Charge
Small Footprint (3x3 mm)
Benefits
Minimizes Conduction Losses
Minimizes Switching Losses
Compact Design
Applications
Reverser Battery protection
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
Synchronous Rectification
End Products
Motor Control
Battery management
Switching Power supplies
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTTFS6H850N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H850N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H850N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN